MOSFET dễ bị phóng điện (ESD) hơn vì trở kháng đầu vào cao của công nghệ MOS trong MOSFET sẽ không cho phép điện tích tiêu tán theo cách có kiểm soát. Các IGBT thế hệ thứ ba kết hợp các đặc tính điều khiển điện áp của MOSFET với khả năng kháng thấp của transistor lưỡng cực, do đó làm cho nó có khả năng chống quá tải và tăng đột biến điện áp cực kỳ tốt
https://dientutuonglai.com/so-....sanh-mosfet-va-igbt.